NTLJS1102PTBG 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 720mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 4.5V Vgs (최대) ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1585pF @ 4V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-WDFN (2x2) 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 720mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 4.5V Vgs (최대) ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1585pF @ 4V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-WDFN (2x2) 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad |
