Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

NTMFS4C302NT1G 데이터 시트

NTMFS4C302NT1G 데이터 시트
총 페이지: 6
크기: 132.29 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: NTMFS4C302NT1G
NTMFS4C302NT1G 데이터 시트 페이지 1
NTMFS4C302NT1G 데이터 시트 페이지 2
NTMFS4C302NT1G 데이터 시트 페이지 3
NTMFS4C302NT1G 데이터 시트 페이지 4
NTMFS4C302NT1G 데이터 시트 페이지 5
NTMFS4C302NT1G 데이터 시트 페이지 6
NTMFS4C302NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

41A (Ta), 230A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.15mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5780pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads