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NTNS3190NZT5G 데이터 시트

NTNS3190NZT5G 데이터 시트
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ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
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NTNS3190NZT5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

224mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15.8pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

120mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-XLLGA (0.62x0.62)

패키지 / 케이스

3-XFDFN