NVD5865NLT4G 데이터 시트
NVD5865NLT4G 데이터 시트
총 페이지: 6
크기: 74.34 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
NVD5865NLT4G
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 71W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DPAK 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
