Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

NVD5C460NLT4G 데이터 시트

NVD5C460NLT4G 데이터 시트
총 페이지: 6
크기: 135.65 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: NVD5C460NLT4G
NVD5C460NLT4G 데이터 시트 페이지 1
NVD5C460NLT4G 데이터 시트 페이지 2
NVD5C460NLT4G 데이터 시트 페이지 3
NVD5C460NLT4G 데이터 시트 페이지 4
NVD5C460NLT4G 데이터 시트 페이지 5
NVD5C460NLT4G 데이터 시트 페이지 6
NVD5C460NLT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Ta), 73A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 60µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 47W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63