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NVMYS011N04CTWG 데이터 시트

NVMYS011N04CTWG 데이터 시트
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ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
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NVMYS011N04CTWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta), 35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-LFPAK

패키지 / 케이스

SOT-1023, 4-LFPAK