PHKD6N02LT 데이터 시트
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 950pF @ 10V 전력-최대 4.17W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
