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PMH950UPEH 데이터 시트

PMH950UPEH 데이터 시트
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Nexperia
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PMH950UPEH

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

530mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

0.95V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

36pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

370mW (Ta), 2.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DFN0606-3 (SOT8001)

패키지 / 케이스

3-XFDFN