PMV30UN 데이터 시트
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 36mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 460pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.9W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-236AB (SOT23) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
