PN4302 데이터 시트
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제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 50V 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 3mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 2V @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 325mW 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 900µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 300mW 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 |
