Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트

PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트
총 페이지: 13
크기: 731.61 KB
Nexperia
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: PSMN1R5-30BLEJ
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 1
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 2
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 3
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 4
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 5
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 6
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 7
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 8
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 9
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 10
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 11
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 12
PSMN1R5-30BLEJ 데이터 시트 페이지 13
PSMN1R5-30BLEJ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.15V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

228nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14934pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

401W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB