PSMN3R0-60PS 데이터 시트
|
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 130nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8079pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 306W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
