R1LV0808ASB-7SI#S0 데이터 시트
|
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM 메모리 크기 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 2.4V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 44-TSOP II |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM 메모리 크기 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 44-TSOP II |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM 메모리 크기 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 2.4V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 44-TSOP II |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM 메모리 크기 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 44-TSOP II |
