RCJ081N20TL 데이터 시트
RCJ081N20TL 데이터 시트
총 페이지: 13
크기: 1,316.79 KB
Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
RCJ081N20TL
|
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 770mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5.25V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.5nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 330pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.56W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LPTS (SC-83) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
