RJK6011DJE-00#Z0 데이터 시트
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Renesas Electronics America
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
RJK6011DJE-00#Z0
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 52Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.7nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 25pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 900mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92MOD 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
