RJK6015DPM-00#T1 데이터 시트
RJK6015DPM-00#T1 데이터 시트
총 페이지: 7
크기: 81.08 KB
Renesas Electronics America
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
RJK6015DPM-00#T1
|
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 360mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 67nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 60W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-3PFM 패키지 / 케이스 TO-3PFM, SC-93-3 |
