RJK6024DPD-00#J2 데이터 시트
RJK6024DPD-00#J2 데이터 시트
총 페이지: 7
크기: 73.17 KB
Renesas Electronics America
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
RJK6024DPD-00#J2
|
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 42Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.3nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 37.5pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 27.2W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 MP-3A 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
