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RN1101ACT(TPL3) 데이터 시트

RN1101ACT(TPL3) 데이터 시트
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Toshiba Semiconductor and Storage
이 데이터 시트는 6 부품 번호를 다룹니다.: RN1101ACT(TPL3), RN1101CT(TPL3), RN1101,LF(CT, RN1104T5LFT, RN1102T5LFT, RN1103,LF(CT
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RN1101ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

CST3

RN1101CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

50mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

CST3

RN1101,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SSM

RN1104T5LFT

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SSM

RN1102T5LFT

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SSM

RN1103,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SSM