RN1101MFV 데이터 시트
RN1101MFV 데이터 시트
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Toshiba Semiconductor and Storage
웹 사이트: http://www.toshiba.com/taec/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage 제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 150mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-723 공급자 장치 패키지 VESM |