Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

RQ3E160ADTB 데이터 시트

RQ3E160ADTB 데이터 시트
총 페이지: 14
크기: 2,464.07 KB
Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: RQ3E160ADTB
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 1
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 2
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 3
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 4
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 5
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 6
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 7
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 8
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 9
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 10
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 11
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 12
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 13
RQ3E160ADTB 데이터 시트 페이지 14
RQ3E160ADTB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2550pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-HSMT (3.2x3)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN