RQJ0303PGDQA#H6 데이터 시트
RQJ0303PGDQA#H6 데이터 시트
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Renesas Electronics America
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
RQJ0303PGDQA#H6
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (최대) +10V, -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 625pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 800mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-MPAK 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
