S29WS512R0SBHW200 데이터 시트
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 WS-R 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 60ns 접근 시간 80ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 84-VFBGA 공급자 장치 패키지 84-FBGA (11.6x8) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 WS-R 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 60ns 접근 시간 80ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 84-VFBGA 공급자 장치 패키지 84-FBGA (11.6x8) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 WS-R 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 60ns 접근 시간 80ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 84-VFBGA 공급자 장치 패키지 84-FBGA (11.6x8) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 WS-R 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 60ns 접근 시간 80ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 84-VFBGA 공급자 장치 패키지 84-FBGA (11.6x8) |
