SCT2280KEC 데이터 시트
SCT2280KEC 데이터 시트
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Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SCT2280KEC
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs 364mOhm @ 4A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 36nC @ 18V Vgs (최대) +22V, -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 667pF @ 800V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 108W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
