SH8M11TB1 데이터 시트
SH8M11TB1 데이터 시트
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Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SH8M11TB1
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 98mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 85pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
