SI1011X-T1-GE3 데이터 시트
SI1011X-T1-GE3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SI1011X-T1-GE3
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 640mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4nC @ 4.5V Vgs (최대) ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 62pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 190mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-89-3 패키지 / 케이스 SC-89, SOT-490 |
