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SI1488DH-T1-E3 데이터 시트

SI1488DH-T1-E3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
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SI1488DH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

530pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta), 2.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363