SI4532CDY-T1-GE3 데이터 시트
SI4532CDY-T1-GE3 데이터 시트
총 페이지: 14
크기: 224.04 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SI4532CDY-T1-GE3
|
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A, 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 305pF @ 15V 전력-최대 2.78W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
