SI5486DU-T1-GE3 데이터 시트
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 54nC @ 8V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2100pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 54nC @ 8V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2100pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
