SI5509DC-T1-GE3 데이터 시트
SI5509DC-T1-GE3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.:
SI5509DC-T1-GE3, SI5509DC-T1-E3
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.1A, 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 455pF @ 10V 전력-최대 4.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 1206-8 ChipFET™ |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.1A, 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 455pF @ 10V 전력-최대 4.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 1206-8 ChipFET™ |
