SI5517DU-T1-E3 데이터 시트
SI5517DU-T1-E3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.:
SI5517DU-T1-E3, SI5517DU-T1-GE3
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 10V 전력-최대 8.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® ChipFet Dual |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 10V 전력-최대 8.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® ChipFet Dual |
