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SI5999EDU-T1-GE3 데이터 시트

SI5999EDU-T1-GE3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
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SI5999EDU-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

496pF @ 10V

전력-최대

10.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® ChipFET™ Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® ChipFet Dual