Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트

SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트
총 페이지: 9
크기: 859.08 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: SIA923EDJ-T1-GE3
SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 1
SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 2
SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 3
SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 4
SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 5
SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 6
SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 7
SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 8
SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 9
SIA923EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual