SIHD2N80AE-GE3 데이터 시트
SIHD2N80AE-GE3 데이터 시트
총 페이지: 9
크기: 195.63 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SIHD2N80AE-GE3
|
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 E FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.5nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 180pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 62.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-PAK (TO-252) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
