Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SIHG47N65E-GE3 데이터 시트

SIHG47N65E-GE3 데이터 시트
총 페이지: 7
크기: 152.54 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: SIHG47N65E-GE3
SIHG47N65E-GE3 데이터 시트 페이지 1
SIHG47N65E-GE3 데이터 시트 페이지 2
SIHG47N65E-GE3 데이터 시트 페이지 3
SIHG47N65E-GE3 데이터 시트 페이지 4
SIHG47N65E-GE3 데이터 시트 페이지 5
SIHG47N65E-GE3 데이터 시트 페이지 6
SIHG47N65E-GE3 데이터 시트 페이지 7
SIHG47N65E-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

273nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5682pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

417W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AC

패키지 / 케이스

TO-247-3