SIR626DP-T1-RE3 데이터 시트
SIR626DP-T1-RE3 데이터 시트
총 페이지: 7
크기: 196.82 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SIR626DP-T1-RE3
|
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen IV FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 78nC @ 7.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5130pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 104W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 |
