Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트

SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트
총 페이지: 13
크기: 596.2 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: SISB46DN-T1-GE3
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 1
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 2
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 3
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 4
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 5
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 6
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 7
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 8
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 9
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 10
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 11
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 12
SISB46DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 13
SISB46DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.71mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 20V

전력-최대

23W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual