Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트

SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트
총 페이지: 9
크기: 249.01 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: SISS65DN-T1-GE3
SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 1
SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 2
SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 3
SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 4
SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 5
SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 6
SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 7
SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 8
SISS65DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 9
SISS65DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET® Gen III

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25.9A (Ta), 94A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

138nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4930pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8S