SIZ910DT-T1-GE3 데이터 시트
SIZ910DT-T1-GE3 데이터 시트
총 페이지: 14
크기: 210.69 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SIZ910DT-T1-GE3
|
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1500pF @ 15V 전력-최대 48W, 100W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5) |
