SQ1464EEH-T1_GE3 데이터 시트
SQ1464EEH-T1_GE3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SQ1464EEH-T1_GE3
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 440mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.41Ohm @ 2A, 1.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 140pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 430mW (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-70-6 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
