SQJ262EP-T1_GE3 데이터 시트
SQJ262EP-T1_GE3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SQJ262EP-T1_GE3
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Tc), 40A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V, 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V 전력-최대 27W (Tc), 48W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
