Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SQP100P06-9M3L_GE3 데이터 시트

SQP100P06-9M3L_GE3 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 159.3 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: SQP100P06-9M3L_GE3
SQP100P06-9M3L_GE3 데이터 시트 페이지 1
SQP100P06-9M3L_GE3 데이터 시트 페이지 2
SQP100P06-9M3L_GE3 데이터 시트 페이지 3
SQP100P06-9M3L_GE3 데이터 시트 페이지 4
SQP100P06-9M3L_GE3 데이터 시트 페이지 5
SQP100P06-9M3L_GE3 데이터 시트 페이지 6
SQP100P06-9M3L_GE3 데이터 시트 페이지 7
SQP100P06-9M3L_GE3 데이터 시트 페이지 8
SQP100P06-9M3L_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12010pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

187W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3