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SSM6K204FE 데이터 시트

SSM6K204FE 데이터 시트
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Toshiba Semiconductor and Storage
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: SSM6K204FE,LF
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SSM6K204FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

126mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

195pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

ES6

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666