STB50NE10T4 데이터 시트
STB50NE10T4 데이터 시트
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STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
STB50NE10T4
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 166nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 180W (Tc) 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
