STD11N60M2-EP 데이터 시트
STD11N60M2-EP 데이터 시트
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STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
STD11N60M2-EP
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ M2-EP FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 595mOhm @ 3.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.75V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.4nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 390pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 85W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DPAK 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
