Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

STD52P3LLH6 데이터 시트

STD52P3LLH6 데이터 시트
총 페이지: 16
크기: 772.75 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: STD52P3LLH6
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 1
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 2
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 3
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 4
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 5
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 6
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 7
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 8
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 9
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 10
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 11
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 12
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 13
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 14
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 15
STD52P3LLH6 데이터 시트 페이지 16
STD52P3LLH6

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ H6

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63