Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

STD6N62K3 데이터 시트

STD6N62K3 데이터 시트
총 페이지: 19
크기: 420.39 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: STD6N62K3
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 1
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 2
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 3
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 4
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 5
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 6
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 7
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 8
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 9
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 10
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 11
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 12
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 13
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 14
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 15
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 16
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 17
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 18
STD6N62K3 데이터 시트 페이지 19
STD6N62K3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH3™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

620V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.28Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

706pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63