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STH185N10F3-2 데이터 시트

STH185N10F3-2 데이터 시트
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STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
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STH185N10F3-2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

114.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6665pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

315W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

H2Pak-2

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB