Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

STL57N65M5 데이터 시트

STL57N65M5 데이터 시트
총 페이지: 16
크기: 932.23 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: STL57N65M5
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 1
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 2
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 3
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 4
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 5
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 6
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 7
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 8
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 9
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 10
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 11
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 12
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 13
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 14
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 15
STL57N65M5 데이터 시트 페이지 16
STL57N65M5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A (Ta), 22.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

69mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4200pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 189W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (8x8) HV

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN