Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

STO33N60M6 데이터 시트

STO33N60M6 데이터 시트
총 페이지: 13
크기: 514.95 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: STO33N60M6
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 1
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 2
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 3
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 4
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 5
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 6
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 7
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 8
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 9
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 10
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 11
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 12
STO33N60M6 데이터 시트 페이지 13
STO33N60M6

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ M6

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.75V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1515pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TOLL (HV)

패키지 / 케이스

8-PowerSFN