Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

STP5NK65Z 데이터 시트

STP5NK65Z 데이터 시트
총 페이지: 9
크기: 298.94 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: STP5NK65Z
STP5NK65Z 데이터 시트 페이지 1
STP5NK65Z 데이터 시트 페이지 2
STP5NK65Z 데이터 시트 페이지 3
STP5NK65Z 데이터 시트 페이지 4
STP5NK65Z 데이터 시트 페이지 5
STP5NK65Z 데이터 시트 페이지 6
STP5NK65Z 데이터 시트 페이지 7
STP5NK65Z 데이터 시트 페이지 8
STP5NK65Z 데이터 시트 페이지 9
STP5NK65Z

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

680pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

85W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3